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Spot SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3 MOS field effect tube Mosfet

Spot SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3 Tube à effet de champ MOS Mosfet

  • Numéro de la pièce
    SI2309CDS-T1-GE3
  • Type
    CI LOGIQUE
  • D/c
    Le plus récent
  • Statut sans plomb
    Conforme RoHS
  • Condition
    D'origine 100%
  • Application
    Composants électroniques
  • Délai d'exécution
    Expédition immédiate
  • Emballage
    Emballage standard
  • Température de fonctionnement
    -45C + 125C
  • Emballage
    Boîte à plateaux
  • Lieu d'origine
    Chine
  • Nom de marque
    Vishay Siliconix
  • Certification
    SI2309CDS-T1-GE3
  • Numéro de modèle
    SI2309CDS-T1-GE3
  • Quantité de commande min
    1 PCS
  • Prix
    contact us
  • Détails d'emballage
    Standard/Nouveau/Original
  • Délai de livraison
    Un jour
  • Conditions de paiement
    L/C, D/A, D/P, T/T, GET, NET1, Western Union
  • Capacité d'approvisionnement
    1000000 pièces/jour

Spot SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3 Tube à effet de champ MOS Mosfet

Transistor MOSFET de tube d'effet de gisement de MOS de la tache SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3

 

 

SI2309CDS-T1-GE3

Fabricant
Vishay Siliconix
Fabricant Product Number
SI2309CDS-T1-GE3
Description
Transistor MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Fabricant Standard Lead Time
50 semaines
Description détaillée
P-canal 60 V 1.6A (comité technique) 1W (merci), 1.7W (comité technique) bâti SOT-23-3 (TO-236) de la surface

 

TYPE
DESCRIPTION
Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Mfr
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Statut de produit
Actif
Type de FET
P-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
1.6A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
345mOhm @ 1.25A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
4,1 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
210 PF @ 30 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
1W (merci), 1.7W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Paquet/cas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nombre bas de produit
SI2309

 

TYPE DE RESSOURCE LIEN
Fiches techniques SI2309CDS
Information sur l'environnement
Fiche technique de HTML SI2309CDS
EDA Models SI2309CDS-T1-GE3 par ultra le bibliothécaire

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut de RoHS ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 1 (illimité)
Statut de PORTÉE ATTEIGNEZ inchangé
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

 

PAC1934T-I/J6CX PUCE 22+ WLCSP16
SSM2529ACBZ-R7 L'ADI 22+ WLCSP16
FAN53526UC00X SUR 22+ WLCSP-15
NX20P5090UKAZ NXP 22+ WLCSP15
NX20P5090UK NXP 22+ WLCSP15
STM32L4R9ZIY6PTR STM 22+ WLCSP-144
STM32F429ZIY6TR St 22+ WLCSP143
RT9746HWSC RICHTEK 22+ WL-CSP-12B
MX25R1635FBDIL0 MXIC/ 22+ WLCSP-12
MX25R6435FBDIL0 MXIC 22+ WLCSP-12
W25Q32JWBYIQ   22+ WLCSP12
NX5P3090UK NXP 22+ WLCSP12
TCC-303A-RT DESSUS 22+ WLCSP12
STM32L496VGY6PTR St 22+ WLCSP100
ADG884BCBZ-REEL7 L'ADI 22+ WLCSP10
EFC2K102ANUZTDG SUR 22+ WLCSP10
SGM40661YG/TR MBS 22+ WLCSP-1.30
SGM6032-1.2YG/TR SGMICRO () 22+ WLCSP-1.21
P9222-3AZGI8 RENESAS 22+ WLCSP
PCMF1USB3S NXP 22+ WLCSP

 

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Qui sommes-nous ?

 

 

Nous sommes une société professionnelle de commercialisation entièrement engagés

dans les domaines des semi-conducteurs et de la vente de composants électroniques et

le service pour des clients sur 10 ans, se spécialisent en vendant le nouveau et inutilisé,

l'usine originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC,

la diode, le transistor, IGBT, convertisseur ..... Semicon de DC-DC a installé nos propres ventes

entretenez la conception et avez déjà établi des associations fortes

avec beaucoup de fabricants et de nous célèbres ayez plus de 5 000 000 sortes de

composants électroniques pour vos choix, Semicon toujours à vos services !

 
Avantages

Nous avons des avantages suivants :
service 1.Bom : Nous fournissons le service sur un seul point de vente d'achat.
assurance 2.Quality : Nous promettons vendre de nouvelles et originales puces seulement.
prix 3.Competitive : Nous avons le grand inventaire et ne ferons tout le possible aucun d'atteindre votre cible 4.Payment
Terme : T/T, engagement, filet, etc.
expérience 5.Exhibition : Nous avons une expérience abondante dans des expositions électroniques globales.

 

 

FAQ

1. Comment garantirez-vous la qualité ?
Nous acceptons le CHEVAL BLANC, OBTENONS ou n'importe quel essai de qualité de tiers.

2. Quel est votre avantage comparer à d'autres fournisseurs ?
a.We fournissent nouveau et des produits initiaux seulement.
b.We fournissent la livraison opportune et 24 heures de soin de client.
appui de c.We nos clients à long terme avec des prix concurrentiels.

3.What est votre MOQ ?
MOQ n'a pas eu besoin, plus que vous achetez, meilleur le prix vous pouvez apprécier.

4.Can j'obtiens un échantillon pour libre ?
Vous pouvez envoyer des enquêtes à nos ventes pour des aperçus gratuits.

les services 5.What peuvent vous fournir ?
méthodes d'a.Payment : Visa/Master Card/transfert de fil/avec vous/Paypal.
méthodes de b.Shipment : DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacket etc.
garantie des mois c.12.

6.Do vous fournir des services de BOM ?
Oui, nous fournissons le service sur un seul point de vente d'achat, nous envoyons svp votre liste de BOM.

 

 

 

 

 

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MC33202DR2G

Numéro de la pièce de Digi-clé
MC33202DR2GOSTR-ND - Bande et bobine (TR)
MC33202DR2GOSCT-ND - Coupez la bande (les CT)
MC33202DR2GOSDKDR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Fabricant Product Number
MC33202DR2G
Description
CIRCUIT 8SOIC DU GÉNÉRALISTE 2 D'IC OPAMP
Fabricant Standard Lead Time
45 semaines
Description détaillée
Rail-à-rail d'usage universel 8-SOIC de circuit de l'amplificateur 2