N-canal du transistor à effet de champ de transistor MOSFET de protection de CSD13381F4 12V ESD DQ XFDFN-3
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Transistor à effet de champ de transistor MOSFET d'ESD
,transistor à effet de champ du transistor MOSFET 12V
,CSD13381F4
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Numéro de modèleCSD13381F4
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TypeCSD13381F4
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Température de fonctionnement-40°C | 85°C, la température normale
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Nom de produitInitiateur de étude Kit Suite For Raspberry Pi de composant électronique
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Paquet/casSMD/DIP/SOP/QFP/BGA/TO/PLCC/QFN
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ApplicationComponets électronique, ordinateur
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Lieu d'origineLA CHINE
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Nom de marqueCSD13381F4
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CertificationCSD13381F4
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Numéro de modèleCSD13381F4
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Quantité de commande min6 PCS
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PrixContact
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Détails d'emballageCarton standard
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Délai de livraison1 jour
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Conditions de paiementT/T, T/T, D/P, D/A, L/C, D/P, L/C, Paypal, engagement
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Capacité d'approvisionnement288000pcs/Day
N-canal du transistor à effet de champ de transistor MOSFET de protection de CSD13381F4 12V ESD DQ XFDFN-3
Effet de champ de protection du N-canal 12V ESD de CSD13381F4 DQ XFDFN-3 MOS Transistor
| Attributs | valeur de paramètre | |
|---|---|---|
| Catalogue de produit | Transistor à effet de champ (transistor MOSFET) | |
| type | - | |
| Tension de Drain-source (Vdss) | - | |
| Courant continu de drain (identification) | - | |
| Puissance (palladium) | - | |
| Sur-résistance @Vgs (du RDS (dessus), identification) | - | |
| Tension de seuil @Id (de Vgs (Th)) | - | |
| Charge de porte (Qg@Vgs) | - | |
| Capacité d'entrée (Ciss@Vds) | - | |
| Capacité inverse de transfert (Crss@Vds) | - |
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