Transistor MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA de transport de CSD23202W10 SEMICON
UE RoHS |
Conforme |
ECCN (US) |
EAR99 |
Statut de partie |
Actif |
Des véhicules à moteur |
Non |
PPAP |
Non |
Catégorie de produit |
Transistor MOSFET de puissance |
Configuration |
Double drain simple |
Technologie transformatrice |
NexFET |
Mode de la Manche |
Amélioration |
Type de la Manche |
P |
Nombre d'éléments par puce |
1 |
Tension maximum de source de drain (v) |
12 |
Tension de source de porte maximum (v) |
6 |
Tension maximum de seuil de porte (v) |
0,9 |
Drain continu maximum (a) actuel |
2,2 |
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) |
100 |
IDSS maximum (uA) |
1 |
Résistance maximum de source de drain (mOhm) |
53@4.5V |
Charge typique @ Vgs (OR) de porte |
2.9@4.5V |
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée |
394@6V |
Dissipation de puissance maximum (mW) |
1000 |
Temps typique d'automne (NS) |
21 |
Temps de montée typique (NS) |
4 |
Temps de retard d'arrêt typique (NS) |
58 |
Temps de retard d'ouverture typique (NS) |
9 |
Température de fonctionnement minimum (°C) |
-55 |
Température de fonctionnement maximum (°C) |
150 |
Emballage |
Bande et bobine |
Paquet de fournisseur |
DSBGA |
Pin Count |
4 |
Nom de forfait standard |
BGA |
Support |
Bâti extérieur |
Taille de paquet |
0,28 (maximum) |
Longueur de paquet |
1 |
Largeur de paquet |
1 |
La carte PCB a changé |
4 |
Forme d'avance |
Boule |