Transistor MOSFET original en soie de tache de l'écran D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3
TYPE
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DÉCRIVEZ
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catégorie
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Produits semiconducteurs discrets
Transistor - FET, transistor MOSFET - simple
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fabricant
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Texas Instruments
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série
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FemtoFET™
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statut de produit
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en stock
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Type de FET
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Canal de N
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technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Tension de Drain-source (Vdss)
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12V
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Courant à 25°C - drain continu (identification)
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3.6A (ventres)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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1.8V, 4.5V
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Sur-résistance (maximum) à l'identification différente, Vgs
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76 milliohms @ de 400mA, 4.5V
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Vgs (Th) (maximum) à différents Ids
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1.3V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) chez Vgs différent (maximum)
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1.2nC @ 4.5V
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Vgs (maximum)
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8V
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Capacité d'entrée (Ciss) chez Vds différent (maximum)
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156 PF @ 6V
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Fonction de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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500mW (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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type d'installation
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Type extérieur de bâti
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Empaquetage de dispositif de fournisseur
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3-PICOSTAR
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Paquet/clôture
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3-XFDFN
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Nombre de base de produit
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CSD13380
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