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CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3 Silk Screen D Original Spot Mosfet

Transistor MOSFET original en soie de tache de l'écran D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3

  • Numéro de modèle
    CSD13380F3
  • Condition
    CSD13380F3
  • Courant - Sortie / Canal
    Norme
  • Puissance - Max
    Norme
  • Type
    Autre, IC
  • Paquet/cas
    DIP20,28-VQFN a exposé la protection
  • Délai d'exécution
    En stock
  • Lieu d'origine
    LA CHINE
  • Nom de marque
    CSD13380F3
  • Certification
    CSD13380F3
  • Numéro de modèle
    CSD13380F3
  • Quantité de commande min
    6 PCS
  • Prix
    Ask
  • Détails d'emballage
    Boîte
  • Délai de livraison
    1DAYS
  • Conditions de paiement
    T/T, YESCROW, HORSE/GETS BLANC EXAMINANT, Western Union, D/P, T/T
  • Capacité d'approvisionnement
    1300000pcs/Day

Transistor MOSFET original en soie de tache de l'écran D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3

Transistor MOSFET original en soie de tache de l'écran D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3

 

TYPE
DÉCRIVEZ
catégorie
Produits semiconducteurs discrets
Transistor - FET, transistor MOSFET - simple
fabricant
Texas Instruments
série
FemtoFET™
statut de produit
en stock
Type de FET
Canal de N
technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Tension de Drain-source (Vdss)
12V
Courant à 25°C - drain continu (identification)
3.6A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Sur-résistance (maximum) à l'identification différente, Vgs
76 milliohms @ de 400mA, 4.5V
Vgs (Th) (maximum) à différents Ids
1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) chez Vgs différent (maximum)
1.2nC @ 4.5V
Vgs (maximum)
8V
Capacité d'entrée (Ciss) chez Vds différent (maximum)
156 PF @ 6V
Fonction de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
type d'installation
Type extérieur de bâti
Empaquetage de dispositif de fournisseur
3-PICOSTAR
Paquet/clôture
3-XFDFN
Nombre de base de produit
CSD13380

 

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